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Single-Shot Readout of Singlet-Triplet Qubit States in a Si/SiGe Double Quantum Dot

机译:Si / SiGe双量子点中单重三重量子位态的单次读出

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摘要

The spin singlet and triplet states of a two-electron double quantum dot can be used to form a logical qubit that combines fast manipulation and a spin readout mechanism. We demonstrate single-shot readout of the two-electron states of a Si/SiGe double quantum dot using a quantum-point-contact charge sensor and spin-to-charge conversion. From the statistics of multiple singleshot measurements, we find the lifetimes of the spin states as a function of in-plane magnetic field. The lifetimes of the singlet and T0 triplet are both ~10ms and insensitive to magnetic field. The Ttriplet lifetime increases with magnetic field, reaching ~3s at 1T.
机译:双电子双量子点的自旋单重态和三重态可用于形成结合快速操作和自旋读出机制的逻辑量子位。我们演示了使用量子点接触电荷传感器和自旋至电荷转换对Si / SiGe双量子点的两个电子态进行单次读出。从多次单次测量的统计数据中,我们发现自旋状态的寿命是平面内磁场的函数。单重态和T0三重态的寿命均为〜10ms,并且对磁场不敏感。 Ttriplet的寿命随着磁场的增加而增加,在1T时达到〜3s。

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